APTGT50DA170T1G

IGBT 1700V 75A 312W SP1
APTGT50DA170T1G P1
APTGT50DA170T1G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTGT50DA170T1G

номер части
APTGT50DA170T1G
производитель
Microsemi Corporation
Описание
IGBT 1700V 75A 312W SP1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- APTGT50DA170T1G PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APTGT50DA170T1G
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1700V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 75A
Мощность - макс. 312W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол SP1
Пакет устройств поставщика SP1

сопутствующие товары

Все продукты