APTGT50DA170T1G

IGBT 1700V 75A 312W SP1
APTGT50DA170T1G P1
APTGT50DA170T1G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGT50DA170T1G

Artikelnummer
APTGT50DA170T1G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 1700V 75A 312W SP1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer APTGT50DA170T1G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 75A
Leistung max 312W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP1
Lieferantengerätepaket SP1

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