| номер части | APT45GP120JDQ2 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип IGBT | PT |
| конфигурация | Single |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 1200V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 75A |
| Мощность - макс. | 329W |
| Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | 750µA |
| Входная емкость (Cies) @ Vce | 4nF @ 25V |
| вход | Standard |
| Термистор NTC | No |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / чехол | ISOTOP |
| Пакет устройств поставщика | ISOTOP® |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT45GP120B2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 113A 625W TMAX | - | 348 | подробности |
 |
APT45GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 100A 625W TO247 | - | 57 | подробности |
 |
APT45GP120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | - | 0 | подробности |
 |
APT45GP120JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | - | 0 | подробности |
 |
APT45GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 92A 357W TO-247 | - | 62 | подробности |
 |
APT45GR65B2DU30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | подробности |
|
APT45GR65BSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | подробности |
|
APT45GR65SSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | подробности |
 |
APT45M100J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | - | 0 | подробности |
