Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APT45GP120JDQ2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | PT |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 75A |
| Leistung max | 329W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 750µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 4nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | ISOTOP |
| Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT45GP120B2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 113A 625W TMAX | - | 348 | Einzelheiten |
 |
APT45GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 100A 625W TO247 | - | 57 | Einzelheiten |
 |
APT45GP120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
APT45GP120JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
APT45GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 92A 357W TO-247 | - | 62 | Einzelheiten |
 |
APT45GR65B2DU30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Einzelheiten |
|
APT45GR65BSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Einzelheiten |
|
APT45GR65SSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Einzelheiten |
 |
APT45M100J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | - | 0 | Einzelheiten |