APT45GP120J

IGBT 1200V 75A 329W SOT227
APT45GP120J P1
APT45GP120J P2
APT45GP120J P1
APT45GP120J P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APT45GP120J

номер части
APT45GP120J
производитель
Microsemi Corporation
Описание
IGBT 1200V 75A 329W SOT227
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- APT45GP120J PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APT45GP120J
Статус детали Active
Тип IGBT PT
конфигурация Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 75A
Мощность - макс. 329W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 45A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 3.94nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол ISOTOP
Пакет устройств поставщика ISOTOP®

сопутствующие товары

Все продукты