| номер части | APT150GT120JR |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип IGBT | NPT |
| конфигурация | Single |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 1200V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 170A |
| Мощность - макс. | 830W |
| Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 150A |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | 150µA |
| Входная емкость (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
| вход | Standard |
| Термистор NTC | No |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / чехол | ISOTOP |
| Пакет устройств поставщика | ISOTOP® |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | - | 21 | подробности |
 |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | - | 96 | подробности |
 |
APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 19 | подробности |
 |
APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 16 | подробности |
 |
APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 15 | подробности |
 |
APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | - | 0 | подробности |
 |
APT150GT120JR | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | - | 29 | подробности |
 |
APT15D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | - | 0 | подробности |
 |
APT15D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | - | 14 | подробности |
 |
APT15D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | - | 0 | подробности |
 |
APT15D100KG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220 | - | 509 | подробности |
 |
APT15D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247 | 0 | подробности |
