APT150GN120JDQ4

IGBT 1200V 215A 625W SOT227
APT150GN120JDQ4 P1
APT150GN120JDQ4 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APT150GN120JDQ4

номер части
APT150GN120JDQ4
производитель
Microsemi Corporation
Описание
IGBT 1200V 215A 625W SOT227
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- APT150GN120JDQ4 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APT150GN120JDQ4
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 215A
Мощность - макс. 625W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 300µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 9.5nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика ISOTOP®

сопутствующие товары

Все продукты