Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | APT150GT120JR |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | NPT |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 170A |
| Puissance - Max | 830W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 150A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 150µA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | ISOTOP |
| Package de périphérique fournisseur | ISOTOP® |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | - | 21 | Détails |
 |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | - | 96 | Détails |
 |
APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 19 | Détails |
 |
APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 16 | Détails |
 |
APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 15 | Détails |
 |
APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | - | 0 | Détails |
 |
APT150GT120JR | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | - | 29 | Détails |
 |
APT15D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | - | 0 | Détails |
 |
APT15D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | - | 14 | Détails |
 |
APT15D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | - | 0 | Détails |
 |
APT15D100KG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220 | - | 509 | Détails |
 |
APT15D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247 | 0 | Détails |