IXDN55N120D1

IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B
IXDN55N120D1 P1
IXDN55N120D1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

IXYS ~ IXDN55N120D1

номер части
IXDN55N120D1
производитель
IXYS
Описание
IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IXDN55N120D1.pdf IXDN55N120D1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IXDN55N120D1
Статус детали Active
Тип IGBT NPT
конфигурация Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100A
Мощность - макс. 450W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 55A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 3.8mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика SOT-227B

сопутствующие товары

Все продукты