IXDN55N120D1

IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B
IXDN55N120D1 P1
IXDN55N120D1 P1
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IXYS ~ IXDN55N120D1

Número de pieza
IXDN55N120D1
Fabricante
IXYS
Descripción
IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - IGBT - Módulos
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Número de pieza IXDN55N120D1
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT NPT
Configuración Single
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Potencia - Max 450W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 55A
Corriente - corte de colector (máximo) 3.8mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-227B

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