IXDN55N120D1

IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B
IXDN55N120D1 P1
IXDN55N120D1 P1
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IXYS ~ IXDN55N120D1

Numéro d'article
IXDN55N120D1
Fabricant
IXYS
La description
IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
IXDN55N120D1.pdf IXDN55N120D1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article IXDN55N120D1
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100A
Puissance - Max 450W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 55A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 3.8mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC
Package de périphérique fournisseur SOT-227B

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