IRF6674TR1PBF

MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
IRF6674TR1PBF P1
IRF6674TR1PBF P2
IRF6674TR1PBF P3
IRF6674TR1PBF P1
IRF6674TR1PBF P2
IRF6674TR1PBF P3
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IRF6674TR1PBF

номер части
IRF6674TR1PBF
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IRF6674TR1PBF.pdf IRF6674TR1PBF PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IRF6674TR1PBF
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 13.4A (Ta), 67A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 36nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1350pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3.6W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 13.4A, 10V
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика DIRECTFET™ MZ
Упаковка / чехол DirectFET™ Isometric MZ

сопутствующие товары

Все продукты