номер части | IRF6602 |
---|---|
Статус детали | Obsolete |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 20V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11A (Ta), 48A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1420pF @ 10V |
Vgs (Макс.) | ±20V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 11A, 10V |
Рабочая Температура | - |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет устройств поставщика | DIRECTFET™ MQ |
Упаковка / чехол | DirectFET™ Isometric MQ |