IRF6607

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
IRF6607 P1
IRF6607 P2
IRF6607 P1
IRF6607 P2
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IRF6607

номер части
IRF6607
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IRF6607.pdf IRF6607 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IRF6607
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 27A (Ta), 94A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 7V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 75nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 6930pF @ 15V
Vgs (Макс.) ±12V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 3.3 mOhm @ 25A, 10V
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика DIRECTFET™ MT
Упаковка / чехол DirectFET™ Isometric MT

сопутствующие товары

Все продукты