IRF6619TR1PBF

MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
IRF6619TR1PBF P1
IRF6619TR1PBF P2
IRF6619TR1PBF P3
IRF6619TR1PBF P1
IRF6619TR1PBF P2
IRF6619TR1PBF P3
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IRF6619TR1PBF

номер части
IRF6619TR1PBF
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IRF6619TR1PBF.pdf IRF6619TR1PBF PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IRF6619TR1PBF
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30A (Ta), 150A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 57nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 5040pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 2.2 mOhm @ 30A, 10V
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика DIRECTFET™ MX
Упаковка / чехол DirectFET™ Isometric MX

сопутствующие товары

Все продукты