IPU80R2K8CEBKMA1

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
IPU80R2K8CEBKMA1 P1
IPU80R2K8CEBKMA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPU80R2K8CEBKMA1

номер части
IPU80R2K8CEBKMA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IPU80R2K8CEBKMA1.pdf IPU80R2K8CEBKMA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPU80R2K8CEBKMA1
Статус детали Discontinued at Digi-Key
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 800V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.9A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 120µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 290pF @ 100V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 42W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика PG-TO251-3
Упаковка / чехол TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

сопутствующие товары

Все продукты