IPU80R1K4P7AKMA1

MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
IPU80R1K4P7AKMA1 P1
IPU80R1K4P7AKMA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPU80R1K4P7AKMA1

номер части
IPU80R1K4P7AKMA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IPU80R1K4P7AKMA1.pdf IPU80R1K4P7AKMA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPU80R1K4P7AKMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 800V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 700µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10.05nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 250pF @ 500V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET Super Junction
Рассеиваемая мощность (макс.) 32W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика PG-TO251-3
Упаковка / чехол TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

сопутствующие товары

Все продукты