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| Numero di parte | IPU80R2K8CEBKMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.9A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 120µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPU80R1K0CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO251-3 | 0 | Dettagli | |
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IPU80R1K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3 | 0 | Dettagli | |
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IPU80R1K2P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPU80R1K4CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO251-3 | 0 | Dettagli | |
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IPU80R1K4CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3 | 0 | Dettagli | |
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IPU80R1K4P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A IPAK | 450 | Dettagli | |
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IPU80R2K0P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPU80R2K4P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPU80R2K8CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO251-3 | 0 | Dettagli | |
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IPU80R2K8CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3 | 0 | Dettagli | |
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IPU80R3K3P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPU80R4K5P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 1.5A IPAK | 1477 | Dettagli |