F4200R17N3E4BPSA1

LOW POWER ECONO
F4200R17N3E4BPSA1 P1
F4200R17N3E4BPSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ F4200R17N3E4BPSA1

номер части
F4200R17N3E4BPSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- F4200R17N3E4BPSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части F4200R17N3E4BPSA1
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Full Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1700V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 200A
Мощность - макс. 20mW
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 18nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты