F4200R17N3E4BPSA1

LOW POWER ECONO
F4200R17N3E4BPSA1 P1
F4200R17N3E4BPSA1 P1
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Infineon Technologies ~ F4200R17N3E4BPSA1

Numéro d'article
F4200R17N3E4BPSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
LOW POWER ECONO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- F4200R17N3E4BPSA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article F4200R17N3E4BPSA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Full Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 200A
Puissance - Max 20mW
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 18nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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