F4200R17N3E4BPSA1

LOW POWER ECONO
F4200R17N3E4BPSA1 P1
F4200R17N3E4BPSA1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ F4200R17N3E4BPSA1

Artikelnummer
F4200R17N3E4BPSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
LOW POWER ECONO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- F4200R17N3E4BPSA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer F4200R17N3E4BPSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 200A
Leistung max 20mW
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 18nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

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