AUIRS20161S

IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC
AUIRS20161S P1
AUIRS20161S P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ AUIRS20161S

номер части
AUIRS20161S
производитель
Infineon Technologies
Описание
IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
AUIRS20161S.pdf AUIRS20161S PDF online browsing
семья
PMIC - драйверы Gate
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части AUIRS20161S
Статус детали Obsolete
Управляемая конфигурация High-Side
Тип канала Single
Количество драйверов 1
Тип ворот IGBT, N-Channel MOSFET
Напряжение - Поставка 4.4 V ~ 6.5 V
Напряжение логики - VIL, VIH -
Текущий - пиковый выход (источник, раковина) 500mA, 500mA
Тип ввода Inverting
Высокое боковое напряжение - макс (бутстрап) 150V
Время нарастания / падения (Тип) 200ns, 200ns
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика 8-SOIC

сопутствующие товары

Все продукты