AUIRS20161S

IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC
AUIRS20161S P1
AUIRS20161S P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ AUIRS20161S

Artikelnummer
AUIRS20161S
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
AUIRS20161S.pdf AUIRS20161S PDF online browsing
Familie
PMIC - Gate-Treiber
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Artikelnummer AUIRS20161S
Teilstatus Obsolete
Angetriebene Konfiguration High-Side
Kanaltyp Single
Anzahl der Treiber 1
Tortyp IGBT, N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung 4.4 V ~ 6.5 V
Logikspannung - VIL, VIH -
Aktuell - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 500mA, 500mA
Eingabetyp Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) 150V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 200ns, 200ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC

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