AUIRS20161S

IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC
AUIRS20161S P1
AUIRS20161S P1
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Infineon Technologies ~ AUIRS20161S

Numéro d'article
AUIRS20161S
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
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Numéro d'article AUIRS20161S
État de la pièce Obsolete
Configuration pilotée High-Side
Type de canal Single
Nombre de pilotes 1
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 4.4 V ~ 6.5 V
Tension logique - VIL, VIH -
Courant - sortie de crête (source, évier) 500mA, 500mA
Type d'entrée Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 150V
Rise / Fall Time (Typ) 200ns, 200ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC

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