Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Diodes Incorporated ~ HBDM60V600W-7

номер части	HBDM60V600W-7
Статус детали	Active
Тип транзистора	NPN, PNP
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	500mA, 600mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	65V, 60V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Ток - отсечка коллектора (макс.)	100nA
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Мощность - макс.	200mW
Частота - переход	100MHz
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет устройств поставщика	SOT-363

Образ	номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
	HBDM60V600W-7	Diodes Incorporated	TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363	-	0	подробности