HBDM60V600W-7

TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
HBDM60V600W-7 P1
HBDM60V600W-7 P2
HBDM60V600W-7 P3
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HBDM60V600W-7 P5
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ HBDM60V600W-7

Artikelnummer
HBDM60V600W-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer HBDM60V600W-7
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN, PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA, 600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 65V, 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Leistung max 200mW
Frequenz - Übergang 100MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363

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