HBDM60V600W-7

TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
HBDM60V600W-7 P1
HBDM60V600W-7 P2
HBDM60V600W-7 P3
HBDM60V600W-7 P4
HBDM60V600W-7 P5
HBDM60V600W-7 P1
HBDM60V600W-7 P2
HBDM60V600W-7 P3
HBDM60V600W-7 P4
HBDM60V600W-7 P5
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

Diodes Incorporated ~ HBDM60V600W-7

Numéro d'article
HBDM60V600W-7
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- HBDM60V600W-7 PDF online browsing
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article HBDM60V600W-7
État de la pièce Active
Type de transistor NPN, PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 500mA, 600mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 65V, 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Puissance - Max 200mW
Fréquence - Transition 100MHz
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SOT-363

Produits connexes

Tous les produits