Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

CEL ~ NESG7030M04-A

номер части: NESG7030M04-A
производитель: CEL
Описание: DISCRETE RF DIODE
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: NESG7030M04-A.pdf NESG7030M04-A PDF online browsing
семья: Транзисторы - биполярные (BJT) - RF

номер части	NESG7030M04-A
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	NPN
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	4.3V
Частота - переход	5.8GHz
Шум (дБ Тип @ f)	0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
Усиление	14dB ~ 21dB
Мощность - макс.	125mW
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	200 @ 5mA, 2V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	30mA
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	SOT-343F
Пакет устройств поставщика	M04

Образ	номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
	NESG7030M04-A	CEL	DISCRETE RF DIODE		0	подробности