NESG7030M04-A

DISCRETE RF DIODE
NESG7030M04-A P1
NESG7030M04-A P2
NESG7030M04-A P1
NESG7030M04-A P2
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CEL ~ NESG7030M04-A

Número de pieza
NESG7030M04-A
Fabricante
CEL
Descripción
DISCRETE RF DIODE
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
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Número de pieza NESG7030M04-A
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de transistor NPN
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 4.3V
Frecuencia - Transición 5.8GHz
Figura de ruido (dB Typ @ f) 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
Ganancia 14dB ~ 21dB
Potencia - Max 125mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 5mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 30mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-343F
Paquete de dispositivo del proveedor M04

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