NESG7030M04-A

DISCRETE RF DIODE
NESG7030M04-A P1
NESG7030M04-A P2
NESG7030M04-A P1
NESG7030M04-A P2
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CEL ~ NESG7030M04-A

品番
NESG7030M04-A
メーカー
CEL
説明
DISCRETE RF DIODE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - RF
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製品パラメータ

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品番 NESG7030M04-A
部品ステータス Obsolete
トランジスタタイプ NPN
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 4.3V
周波数 - 遷移 5.8GHz
ノイズ・フィギュア(dB Typ @ f) 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
利得 14dB ~ 21dB
電力 - 最大 125mW
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 200 @ 5mA, 2V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 30mA
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-343F
サプライヤデバイスパッケージ M04

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