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| 부품 번호 | SSM6L35FU(TE85L,F) |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 180mA, 100mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 50mA, 4V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 1mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9.5pF @ 3V |
| 전력 - 최대 | 200mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급 업체 장치 패키지 | US6 |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SSM6L35FE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6 | - | 8000 | 세부 |
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SSM6L35FU(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6 | - | 0 | 세부 |
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SSM6L36FE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6 | - | 4000 | 세부 |
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SSM6L39TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6 | - | 0 | 세부 |