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| Número de pieza | SSM6L35FU(TE85L,F) |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N and P-Channel |
| Característica FET | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 180mA, 100mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 50mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 3V |
| Potencia - Max | 200mW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | US6 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SSM6L35FE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6 | - | 8000 | Detalles |
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SSM6L35FU(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6 | - | 0 | Detalles |
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SSM6L36FE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6 | - | 4000 | Detalles |
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SSM6L39TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6 | - | 0 | Detalles |