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| 부품 번호 | CAS325M12HM2 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 444A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 400A, 20V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 105mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1127nC @ 20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력 - 최대 | 3000W |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) |
| 실장 형 | - |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| 공급 업체 장치 패키지 | Module |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
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CAS300M12BM2 | Cree/Wolfspeed | MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE | - | 99 | 세부 |
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CAS300M17BM2 | Cree/Wolfspeed | MOSFET 2N-CH 1700V 325A MODULE | - | 0 | 세부 |
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CAS325M12HM2 | Cree/Wolfspeed | MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE | - | 0 | 세부 |