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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | CAS325M12HM2 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1200V (1.2kV) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 444A (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 4.3 mOhm @ 400A, 20V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 105mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 1127nC @ 20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
電力 - 最大 | 3000W |
動作温度 | 175°C (TJ) |
取付タイプ | - |
パッケージ/ケース | Module |
サプライヤデバイスパッケージ | Module |