Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | CAS325M12HM2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 444A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 400A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 105mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1127nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 3000W |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CAS300M12BM2 | Cree/Wolfspeed | MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE | - | 99 | Einzelheiten |
 |
CAS300M17BM2 | Cree/Wolfspeed | MOSFET 2N-CH 1700V 325A MODULE | - | 0 | Einzelheiten |
 |
CAS325M12HM2 | Cree/Wolfspeed | MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE | - | 0 | Einzelheiten |