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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | CAS325M12HM2 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Eigenschaft | Silicon Carbide (SiC) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 444A (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 400A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 105mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1127nC @ 20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 3000W |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | - |
Paket / Fall | Module |
Lieferantengerätepaket | Module |