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| Numero di parte | VS-ETH0806FP-M3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 8A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.65V @ 8A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 21ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 12µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 Full Pack |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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VS-ETF075Y60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B | - | 15 | Dettagli |
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VS-ETF150Y65N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 650V 150A EMIPAK-2B | - | 9 | Dettagli |
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VS-ETF150Y65U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 650V 150A EMIPAK-2B | - | 15 | Dettagli |
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VS-ETH0806-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2 | - | 940 | Dettagli |
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VS-ETH0806FP-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2 | - | 994 | Dettagli |
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VS-ETH1506-1HM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A TO-262 | - | 0 | Dettagli |
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VS-ETH1506-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2 | - | 573 | Dettagli |
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VS-ETH1506FP-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP | - | 990 | Dettagli |
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VS-ETH1506S-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK | - | 590 | Dettagli |
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VS-ETH1506SHM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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VS-ETH1506STRL-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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VS-ETH1506STRLHM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A D2PAK | - | 0 | Dettagli |