FDMS1D2N03DSD

PT11N 30/12 PT11N 30/12
FDMS1D2N03DSD P1
FDMS1D2N03DSD P1
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ON Semiconductor ~ FDMS1D2N03DSD

品番
FDMS1D2N03DSD
メーカー
ON Semiconductor
説明
PT11N 30/12 PT11N 30/12
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- FDMS1D2N03DSD PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 FDMS1D2N03DSD
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 3.25 mOhm @ 19A, 10V, 0.97 mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 33nC @ 10V, 117nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V
電力 - 最大 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
サプライヤデバイスパッケージ 8-PQFN (5x6)

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