FDMS1D4N03S

MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
FDMS1D4N03S P1
FDMS1D4N03S P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMS1D4N03S

品番
FDMS1D4N03S
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 FDMS1D4N03S
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 211A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 65nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 10250pF @ 15V
Vgs(最大) ±16V
FET機能 Schottky Diode (Body)
消費電力(最大) 74W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.09 mOhm @ 38A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-PQFN (5x6), Power56
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN

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