FDMS1D2N03DSD

PT11N 30/12 PT11N 30/12
FDMS1D2N03DSD P1
FDMS1D2N03DSD P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ FDMS1D2N03DSD

Artikelnummer
FDMS1D2N03DSD
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
PT11N 30/12 PT11N 30/12
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer FDMS1D2N03DSD
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.25 mOhm @ 19A, 10V, 0.97 mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V, 117nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V
Leistung max 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6)

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