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| 品番 | APT68GA60B |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | PT |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 600V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 121A |
| 電流 - コレクタパルス（Icm） | 202A |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
| 電力 - 最大 | 520W |
| スイッチングエネルギー | 715µJ (on), 607µJ (off) |
| 入力方式 | Standard |
| ゲートチャージ | 298nC |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 21ns/133ns |
| テスト条件 | 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 [B] |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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APT6010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX | - | 4 | 詳細 |
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APT6013JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 | - | 2 | 詳細 |
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APT6013LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 | - | 3 | 詳細 |
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APT6017B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX | - | 15579 | 詳細 |
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APT6017LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | - | 15 | 詳細 |
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APT6017LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | - | 25 | 詳細 |
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APT6030BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD | 0 | 詳細 | |
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APT6040BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | 0 | 詳細 | |
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APT6040BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | 0 | 詳細 | |
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APT60D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 | - | 375 | 詳細 |
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APT60D100LCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264 | - | 0 | 詳細 |
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APT60D100SG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A D3 | - | 0 | 詳細 |