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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APT68GA60B |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 121A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 202A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
| Leistung max | 520W |
| Energie wechseln | 715µJ (on), 607µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 298nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 21ns/133ns |
| Testbedingung | 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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APT6010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX | - | 4 | Einzelheiten |
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APT6013JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 | - | 2 | Einzelheiten |
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APT6013LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 | - | 3 | Einzelheiten |
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APT6017B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX | - | 15579 | Einzelheiten |
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APT6017LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | - | 15 | Einzelheiten |
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APT6017LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | - | 25 | Einzelheiten |
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APT6030BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD | 0 | Einzelheiten | |
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APT6040BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | 0 | Einzelheiten | |
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APT6040BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | 0 | Einzelheiten | |
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APT60D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 | - | 375 | Einzelheiten |
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APT60D100LCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT60D100SG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A D3 | - | 0 | Einzelheiten |