IXTP12N50PM

MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
IXTP12N50PM P1
IXTP12N50PM P2
IXTP12N50PM P1
IXTP12N50PM P2
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IXYS ~ IXTP12N50PM

品番
IXTP12N50PM
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXTP12N50PM.pdf IXTP12N50PM PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXTP12N50PM
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 500V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 29nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1830pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 50W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 500 mOhm @ 6A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3

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