IXTP05N100M

MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220
IXTP05N100M P1
IXTP05N100M P1
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IXYS ~ IXTP05N100M

品番
IXTP05N100M
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXTP05N100M.pdf IXTP05N100M PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXTP05N100M
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 700mA (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.5V @ 25µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 7.8nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 260pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 25W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 17 Ohm @ 375mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3

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