画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | IXTP01N100D |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1000V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100mA (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | - |
Vgs(th)(Max)@ Id | - |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | - |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 120pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | Depletion Mode |
消費電力(最大) | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 110 Ohm @ 50mA, 0V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |