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| 品番 | SIDC11D60SIC3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Discontinued at Digi-Key |
| ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 600V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 4A (DC) |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.9V @ 4A |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 0ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 200µA @ 600V |
| 容量Vr、F | 150pF @ 1V, 1MHz |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | Die |
| サプライヤデバイスパッケージ | Sawn on foil |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SIDC105D120H8X1SA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 200A WAFER | - | 4821 | 詳細 |
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SIDC10D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | 0 | 詳細 | |
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SIDC10D120H6X1SA5 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | - | 10362 | 詳細 |
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SIDC10D120H8X1SA2 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | - | 34124 | 詳細 |
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SIDC110D170H | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.7KV 200A WAFER | - | 0 | 詳細 |
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SIDC110D170HX1SA2 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.7KV 200A WAFER | - | 10358 | 詳細 |
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SIDC11D60SIC3 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER | 0 | 詳細 | |
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SIDC14D120E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | - | 0 | 詳細 |
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SIDC14D120E6X1SA4 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | - | 10355 | 詳細 |
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SIDC14D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | - | 0 | 詳細 |
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SIDC14D120F6X1SA3 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | - | 10355 | 詳細 |
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SIDC14D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER | 0 | 詳細 |