SIDC11D60SIC3

DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER
SIDC11D60SIC3 P1
SIDC11D60SIC3 P1
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Infineon Technologies ~ SIDC11D60SIC3

Numéro d'article
SIDC11D60SIC3
Fabricant
Infineon Technologies
La description
DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article SIDC11D60SIC3
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
Type de diode Silicon Carbide Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Courant - Rectifié moyen (Io) 4A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.9V @ 4A
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 200µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F 150pF @ 1V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas Die
Package de périphérique fournisseur Sawn on foil
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C

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