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| Numero di parte | SIDC11D60SIC3 |
|---|---|
| Stato parte | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 4A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 4A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 150pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Sawn on foil |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SIDC105D120H8X1SA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 200A WAFER | - | 4821 | Dettagli |
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SIDC10D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | 0 | Dettagli | |
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SIDC10D120H6X1SA5 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | - | 10362 | Dettagli |
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SIDC10D120H8X1SA2 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | - | 34124 | Dettagli |
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SIDC110D170HX1SA2 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.7KV 200A WAFER | - | 10358 | Dettagli |
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SIDC11D60SIC3 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER | 0 | Dettagli | |
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SIDC14D120E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | - | 0 | Dettagli |
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SIDC14D120E6X1SA4 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | - | 10355 | Dettagli |
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SIDC14D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | - | 0 | Dettagli |
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SIDC14D120F6X1SA3 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | - | 10355 | Dettagli |
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SIDC14D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER | 0 | Dettagli |