IRLHM620TRPBF

MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
IRLHM620TRPBF P1
IRLHM620TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRLHM620TRPBF

品番
IRLHM620TRPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IRLHM620TRPBF.pdf IRLHM620TRPBF PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRLHM620TRPBF
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 26A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 2.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 1.1V @ 50µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 78nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3620pF @ 10V
Vgs(最大) ±12V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.5 mOhm @ 20A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PQFN (3x3)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN

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