IRLHM620TRPBF

MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
IRLHM620TRPBF P1
IRLHM620TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRLHM620TRPBF

Numero di parte
IRLHM620TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IRLHM620TRPBF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Ta), 40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3620pF @ 10V
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 20A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PQFN (3x3)
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN

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