IRLHM620TRPBF

MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
IRLHM620TRPBF P1
IRLHM620TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRLHM620TRPBF

Artikelnummer
IRLHM620TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRLHM620TRPBF.pdf IRLHM620TRPBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRLHM620TRPBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 26A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 50µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3620pF @ 10V
Vgs (Max) ±12V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PQFN (3x3)
Paket / Fall 8-PowerTDFN

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